KONSTRUKCJA TRANZYSTORA

Obszary te zwane są obszarami emitera, bazy i kolektora. Konstrukcja tranzystora stała się możliwa dzięki uzyskaniu zmian przewodnictwa prądu w obrębie półprzewodnika w sposób drastyczny i pozbawiony bezwładności. Taki efekt uzyskuje się przez lokalną zmianę charakteru przewodnictwa z typu n na typ p i odwrotnie. W krysztale germanu wystarcza jeden obcy atom na 10⁸ atomów Ge aby zmienić przewodnictwo sieci krystalicznej o jeden rząd wielkości względem przewodnictwa samoistnego, natomiast aby uzyskać ten sam efekt dla kryształu krzemu jeden atom na 10¹¹ atomów Si. Właściwe sterowanie domieszkami może przekształcić półprzewodnik zarówno w izolator jak dobry przewodnik. To tak jakby w wielomilionowym kraju pojawiło się kilku cudzoziemców niszcząc cały porządek społeczny. Mało tego, w odróżnieniu od metali, w krysztale półprzewodnika prąd przewodzą nie tylko elektrony ale również „dziury” czyli niedobór elektronów.